|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
汎用スイッチングデバイス |
量産体制
|
CPH3 |
2.9mm |
1.6mm |
0.9mm |
表面実装
|
150Cel |
1 |
|
120mA |
0.6W |
100V |
|
1.2V |
|
|
オン・セミコンダクター
|
|
|
接合型FET |
JFET Switching N-Channel-Depletion |
量産体制
|
TO-92(TO-226AA) |
|
|
|
基板挿入
|
|
|
|
|
350mW |
25V |
|
|
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
接合型FET |
低周波増幅用Pチャネル接合形(ミニタイプ) |
量産体制
|
SC-59/TO-236 @JEITA/JEDEC |
|
|
|
表面実装
|
125Cel |
|
|
|
150mW |
|
0.3V |
6V |
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
接合型FET |
低周波増幅用Pチャネル接合形(スーパーミニタイプ) |
量産体制
|
SC-70 |
|
|
|
表面実装
|
125Cel |
|
|
|
150mW |
|
0.3V |
6V |
|
|
イサハヤ電子
|
|
|
接合型FET |
低周波増幅用Pチャネル接合形(フレームタイプ) |
量産体制
|
|
|
|
|
|
125Cel |
|
|
|
450mW |
|
0.2V |
6V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタ高速スイッチング用 |
量産体制
|
NP |
|
|
|
|
150Cel |
|
|
-2A |
0.7W |
-20V |
|
-0.3V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
低周波一般増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
MCP |
2mm |
1.25mm |
|
表面実装
|
|
1 |
Nチャネル |
20mA |
150mW |
40V |
-0.3V |
-2.5V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
低周波一般増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
MCP |
2mm |
1.25mm |
|
表面実装
|
|
1 |
Nチャネル |
20mA |
150mW |
30V |
-0.2V |
-2.5V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
コンデンサマイク用Nチャネル接合型電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SPA |
4mm |
2.2mm |
3mm |
基板挿入
|
|
1 |
Nチャネル |
1mA |
100mW |
|
-0.2V |
-1.5V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
高周波増幅用、低周波増幅用、アナログ・スイッチ用Nチャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
CP |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
1 |
Nチャネル |
75mA |
250mW |
40V |
-2V |
-5V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
NP |
5mm |
4mm |
5mm |
基板挿入
|
|
1 |
Nチャネル |
100mA |
500mW |
15V |
-1.2V |
-4.5V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SPA |
4mm |
2.2mm |
3mm |
基板挿入
|
|
1 |
Nチャネル |
50mA |
300mW |
15V |
-0.3V |
-1.2V |
|
|
東芝
|
|
|
接合型FET |
接合形FET 1素子 |
量産体制
|
S-Mini / 2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
1 |
Nチャネル |
|
100mW |
|
-0.4V |
-5V |
|
|
東芝
|
|
|
接合型FET |
接合形FET 1素子 |
量産体制
|
S-Mini / 2-3F1S |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
1 |
Nチャネル |
|
150mW |
|
-0.2V |
-1.5V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
インピーダンス変換用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
MCP |
2mm |
1.25mm |
0.9mm |
表面実装
|
|
1 |
Nチャネル |
5mA |
150mW |
30V |
-0.3V |
-1.5V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
FMチューナ用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SPA |
4mm |
2.2mm |
3mm |
基板挿入
|
|
1 |
Nチャネル |
20mA |
200mW |
|
|
-2.5V |
|
|
東芝
|
|
|
接合型FET |
接合形FET 2素子 |
量産体制
|
SMV / 2-3L1S |
2.9mm |
1.6mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
2 |
Nチャネル |
|
300mW |
|
-0.2V |
-1.5V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
インピーダンス変換用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
SMCP |
1.6mm |
0.8mm |
0.75mm |
表面実装
|
|
1 |
Nチャネル |
20mA |
100mW |
30V |
-0.2V |
-2.5V |
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
低周波低雑音増幅用Nチャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
NP |
5mm |
4mm |
5mm |
基板挿入
|
|
1 |
Nチャネル |
|
300mW |
40V |
|
|
|
|
三洋半導体
|
|
|
接合型FET |
高周波低雑音増幅用Nチャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ |
量産体制
|
CP |
2.9mm |
1.5mm |
1.1mm |
表面実装
|
|
1 |
Nチャネル |
50mA |
200mW |
15V |
-0.3V |
-1.5V |