Home » IC » メモリ » 強誘電体メモリ

強誘電体メモリ

使い方動画
IC > メモリ > 強誘電体メモリ (24)
会員専用

NEXTY実績ありのみ・・・ネクスティ エレクトロニクスが民生・車載分野で利用した実績がある部品を検索できます
NEXTYサポートを優先する・・・ユーザ様が所属している会社に対して商圏があるメーカが検索結果の上位に表示されます
　　　　　　　　　　　　　　 　NEXTYサポートがある部品については部品の技術的な問い合わせが可能となります

メーカ名
NEXTY実績
ファミリ又はシリーズ名
製品供給状態
パッケージ型名
本体長さ[Typ]
本体幅[Typ]
本体高さ[Typ]
実装方法
ピンピッチ[Min]
ピンピッチ[Typ]
ピンピッチ[Max]
ピン数[Nom]
AEC規格準拠
メモリ容量(ビット）[Nom] (bit)
ワード数[Nom] (word)
ビット幅[Nom] (bit)
動作周囲温度[Min] (Cel)
動作周囲温度[Max] (Cel)
定格電源電圧[Min] (V)
定格電源電圧[Max] (V)
電源電圧[Min] (V)
電源電圧[Typ] (V)
電源電圧[Max] (V)
動作電源電流[Typ] (A)
動作電源電流[Max] (A)
適用中のフィルタ
なし

購入する 表示件数:
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 4-Kbit (512 × 8) Serial (I2C) Automotive-E F-RAM CY15B004Jシリーズ 量産体制 SOIC-8 4.889mm 3.8985mm 1.4635mm 表面実装 1.27mm 8 ○ 4kbit 8bit -40Cel 125Cel -1V 5V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 2-Mbit (256 K x 8) Serial (SPI) Automotive F-RAM Memory CY15B102Qシリーズ 量産体制 SOIC 5.28mm 5.23mm 1.98mm 表面実装 1.27mm 8 ○ 2Mbit 256kword 8bit -40Cel 125Cel -1V 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 2 Mb EXCELON Auto Ferroelectric RAM (F-RAM) Memory CY15B102QNシリーズ 量産体制 SOIC 5.28mm 5.23mm 1.98mm 表面実装 1.27mm 8 ○ 2Mbit 256kword 8bit -40Cel 125Cel -0.5V 4.1V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 4-Mbit (512 K x 8) Serial (SPI) F-RAM Memory CY15B104Qシリーズ 量産体制 TDFN 6mm 5mm 0.65mm 表面実装 1.27mm 8 - 4Mbit 512kword 8bit -40Cel 85Cel -1V 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 64-Kbit (8 K x 8) Serial (I**2C) F-RAM Memory FM24C64Bシリーズ 量産体制 SOIC 4.889mm 3.8985mm 1.4635mm 表面実装 1.27mm 8 ○ 64kbit 8kword 8bit -40Cel 85Cel -1V 7V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 64-Kbit (8K × 8) Serial (I2C) F-RAM FM24CL64Bシリーズ 量産体制 DFN-8 4.5mm 4mm 0.7mm 表面実装 0.9mm 0.95mm 1mm 8 ○ 64kbit 8bit -40Cel 85Cel -1V 5V
サイプレスセミコンダクター
強誘電体メモリ 256-Kbit (32 K x 8) Serial (I**2C) F-RAM Memory FM24V02Aシリーズ 量産体制 SOIC 4.889mm 3.8985mm 1.4625mm 表面実装 1.27mm 8 - 256kbit 32kword 8bit -55Cel 125Cel -1V 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 256-Kbit (32 K x 8) Serial (I**2C) F-RAM Memory FM24V02Aシリーズ 量産体制 SOIC 4.889mm 3.8985mm 1.4525mm 表面実装 1.27mm 8 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel -1V 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 4-Kbit (512 x 8) Serial (SPI) F-RAM Memory FM25L04Bシリーズ 量産体制 SOIC 4.889mm 3.8985mm 1.4635mm 表面実装 1.27mm 8 ○ 4kbit 512word 8bit -40Cel 85Cel -1V 5V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 128-Kbit (16 K x 8) Serial (SPI) F-RAM Memory FM25V01Aシリーズ 量産体制 SOIC 4.889mm 3.8985mm 1.4525mm 表面実装 1.27mm 8 - 128kbit 16kword 8bit -40Cel 85Cel -1V 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 256-Kbit (32 K x 8) Serial (SPI) F-RAM Memory FM25V02Aシリーズ 量産体制 SOIC 4.889mm 3.8985mm 1.4635mm 表面実装 1.27mm 8 - 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel -1V 4.5V
インフィニオンテクノロジーズ
強誘電体メモリ 1-Mbit (128 K x 8) F-RAM Memory FM28V100シリーズ 量産体制 TSOP I 11.8mm 8mm 1mm 表面実装 0.5mm 32 ○ 1Mbit 128kword 8bit -40Cel 85Cel -1V 4.5V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 1Mビット(128K x 8) 量産体制 FPT-48P-M25 12.4mm 12mm 1.03mm 表面実装 1Mbit 128kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 1Mビット(64K x 16) MB85R1002 量産体制 BGA-48P-M23 8.1mm 6.1mm 0.7mm 表面実装 1Mbit 64kword 16bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 1Mビット(64K x 16) MB85R1002 量産体制 FPT-48P-M25 12.4mm 12mm 1.03mm 表面実装 1Mbit 64kword 16bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 2Mビット(256K x 8) 量産体制 FPT-48P-M25(TSOP(1)-48) 12.4mm 12mm 1.03mm 表面実装 2Mbit 256kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 2Mビット(128K x 16) 量産体制 FPT-48P-M25 12.4mm 12mm 1.03mm 表面実装 2Mbit 128kword 16bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビット MB85R256H 量産体制 FPT-28P-M17(SOP-28) 17.75mm 8.6mm 2.45mm 表面実装 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビット MB85R256H 量産体制 FPT-28P-M17(SOP-28) 17.75mm 8.6mm 2.45mm 表面実装 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V
富士通セミコンダクター
強誘電体メモリ メモリFRAM CMOS 256K(32K x 8)ビット MB85R256H 量産体制 FPT-28P-M19(TSOP(1)-28) 11.8mm 8mm 表面実装 256kbit 32kword 8bit -40Cel 85Cel -0.5V 4V