60V MOSFET 効率性と電力密度を向上、4mΩのRDS(ON)、3.3mm2面積で提供 | Vishay Intertechnology
ビシェイ社は、オン抵抗が4mΩと小さい60V低圧パワーMOSFETを発売しました。スイッチングトポロジーの効率性と電力密度を向上するよう設計、22.5nCの低いゲート電荷と出力電荷(QOSS)が特長です。